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1，bois 内存设置
哗胆糕感蕹啡革拾宫浆此项控制DDR2双通道功能。这四个选项是内存寻址方式xor of address bits [20:16,6]xor of address bits [20:16,9]这两个都可选2，怎么用BIOS设置内存我要具体的操作步骤
BIOS 设置内存 ? 你说的是 把667设置成 533 或者是400吧? 在BIOS里面找到 DDR 667 字样 然后下调 条到 533 或 400SDRAM CAS Latency Time（内存CAS延迟时间） 可选项：2，3。内存CAS（Column Address Strobe，列地址选通脉冲）延迟时间控制SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。在133MHz频率下，品质一般的兼容内存大多只能在CAS=3下运行，在CAS=2下运行会使系统不稳定、丢失数据甚至无法启动。CAS延迟时间是一个非常重要的内存参数，对电脑性能的影响比较大，Intel与VIA就PC133内存规范的分歧也与此参数有关，Intel认为PC133内存应能稳定运行于133MHz频率、CAS=2下，而VIA认为PC133内存能稳定运行于133MHz频率即可，并未特别指定CAS值，因此Intel的规范更加严格，一般只有品牌内存才能够满足此规范，所以大家感觉Intel的主板比较挑内存。 SDRAM Cycle Time Tras/Trc（内存Tras/Trc时钟周期）可选项：5/7，7/9。该参数用于确定SDRAM内存行激活时间和行周期时间的时钟周期数。Tras代表SDRAM行激活时间（Row Active Time），它是为进行数据传输而开启行单元所需要的时钟周期数。Trc代表SDRAM行周期时间（Row Cycle Time），它是包括行单元开启和行单元刷新在内的整个过程所需要的时钟周期数。出于最佳性能考虑可将该参数设为5/7，这时内存的速度较快，但有可能出现因行单元开启时间不足而影响数据传输的情况，在SDRAM内存的工作频率高于100MHz时尤其是这样，即使是品牌内存大多也承受不了如此苛刻的设置。 SDRAM RAS-TO-CAS Delay（内存行地址传输到列地址的延迟时间）可选项：2，3。该参数可以控制SDRAM行地址选通脉冲（RAS，Row Address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对SDRAM进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3。（^23030501a^） SDRAM RAS Precharge Time（内存行地址选通脉冲预充电时间）可选项：2，3。该参数可以控制在进行SDRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数。将预充电时间设为2可以提高SDRAM的性能，但是如果2个时钟周期的预充电时间不足，则SDRAM会因无法正常完成刷新操作而不能保持数据步骤很少 但是选项和定义很多 建议你自己研究主板说明书3，bios里面怎么设置内存
Above 1MB Memory Test：设置开机自检时是否检测1M以上内存。该选项已经在新的BIOS中被淘汰。由于内存价格暴跌，电脑用户安装内存容量陡然增加，开机时的大容量内存自检时间太长，今后，即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关。 Auto Configuration：设置为允许时，BIOS按照最佳状态设置。BIOS可以自动设置内存定时，因此会禁止一些对内存设置的修改，建议选择允许方式。 Memory Test Tick Sound：是否发出内存自检的滴嗒声。如果您闲它烦，可以关闭它们。 Memory Parity Error Check：设置是否要设置内存奇偶校验。多在30线内存条使用时代，已经被淘汰。但把非奇偶校验内存强行进行奇偶校验设置会使电脑无法开机。 Cache Memory Controller：是否使用高速缓存。不在流行的Award BIOS中使用。 Shadow RAM Option：设置系统BIOS或显示卡BIOS是否映射到常规内存中。可以加快速度，但也可能造成死机。 Internal Cache Memory：是否使用CPU内部缓存(一级缓存)。可以提高系统性能。 External Cache Memory：是否使用CPU外部缓存(主板上的二级缓存)。可以提高系统性能。AMD新的具有两级缓存的CPU的出现，使主板上的二级缓存退居成三级缓存。 Concurrent Refresh：直译是同时发生的刷新。设置CPU在对其它I/O操作时对内存同时刷新，可以提高系统性能。 DRAM Read Wait State：设置CPU从内存读数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。 DRAM Write Wait State：设置CPU向内存写数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。 Slow Refresh：对质量好的内存，保持数据的时间比较长，可以设置更长的时间周期，从而提高系统性能。 Shadow Cachecable：把映射到常规内存的BIOS ROM增加高速缓存，使性能更进一步。 Page Mode：使内存工作于Page Mode或Page Interleaved模式。 RAS Timeout Counter：使Page Mode或Page Interleaved模式的工作速度更快。因为有可能会超过内存RAS周期，因此采用计数器来监视RAS周期，一旦超过RAS周期，则将周期 自动复位为0。 Memory Relocation：内存重新定位。即将384的上位内存(Upper Memory Block)数据转储到1MB以上的扩展内存中。 Memory Hole：有人称作内存孔洞。把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用，可以加速该卡工作速度或避免冲突。一般被设置成禁止，除非ISA扩展卡有专门的说明。 DRMA Timing Setting：快页内存或EDO内存速度设置，通常是60ns或70ns选择，对10ns或更快的SDRAM内存无效。 Fast MA to RAS Delay：设置内存地址(Memory Address)到内存行地址触发信号(RAS)之间的延迟时间。 DRAM Write Brust Timing：CPU把数据写如高速缓存后，再写如内存的延迟时间。 Fast RAS To CAS Delay：行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间。通常是RAS#下降到CAS#下降之间的时间。 DRAM Lead-Off Timing：CPU读/写内存前的时间。 DRAM Speculative Read：设置成允许时，读内存的时间比正常时间提前一个时间周期，可以提高系统性能。 DRAM Data Integrity Mode：选择内存校验方式是Parity或ECC。 Refresh RAS Assertion：设置内存的行地址刷新时间周期，对质量好的内存可以延迟刷新，从而提高系统性能。 RAS Recharge Period：内存行地址信号预先充电所需要的时间。 Fast EDO Path Select：设置选择对EDO内存读/写的快速途径，可以提高系统性能。 SDRAM RAS Latency：设置SDRAM内存的行地址触发到列地址触发的时间延迟。 SDRAM RAS Timing：设置系统对SDRAM内存的行地址触发时间，也即刷新时间。 Peer Concurrency：为提高系统并行，使CPU对高速缓存或内存或PCI设备，或PCI的主控信号对PCI外围设备等等操作同时进行。系统智能越高，同CPU并行的操作越多，性能提高越多。4，BIOS里的虚拟内存怎么设
BIOS是不能设置虚拟内存的。bios是英文Basic Input/output System的缩写，意思是“基本输入/输出系统”。它是操作系统和硬件之间连接的桥梁，负责在电脑开启时检测、初始化系统设备、装入操作系统并调度操作系统向硬件发出的指令。设置虚拟内存的方法：1. 时入系统，右击“我的电脑”选择属性2. 选择“高级”标签3. 选择“性能”中的“设置”4. 选择“高级”标签并选择“虚拟内存”中的“更改5. 选择一个空闲空间较大的非系统盘6. 选择“自定义大小”并按照自己的内存大小分配（推荐设置自己内存大小的1.5～3倍，例如1GB的内存我们可以设置为2GB），但是系统要求输入以MB为单位的数值，(1GB=1024MB)。假如我们是1GB的内存，那我们应该输入2048MB（初始大小和最大值相同）7. 点击“设置”根据提示选择“确定”8. 提示重启电脑以生效9. 重启电脑。完成设置BIOS是英文Basic Input/output System的缩写，意思是“基本输入/输出系统”。它是操作系统和硬件之间连接的桥梁，负责在电脑开启时检测、初始化系统设备、装入操作系统并调度操作系统向硬件发出的指令。 谈到BIOS，不能不先说说Firmeare(固件)和ROM（Read Only Memory,只读存储器）芯片。Firmeare是软件，但与普通的软件完全不同，它是固化在集成电路内部的程序代码，集成电路的功能就是由这些程序决定的。ROM是一种可在一次性写入Firmware(这就是“固化”过程)后，多次读取的集成电路块。由此可见，ROM仅仅只是Firmware的载体，而我们通常所说的BIOS正是固化了系统主板Firmware的ROM芯片。 最初的主板BIOS芯片采用的是ROM，它的Firmware代码是在芯片生产过程中固化的，并且永远无法修改。后来，电脑中又采用了一种可重复写入的ROM作为系统BIOS芯片，这就是EPROM(Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM)。 现在的主板BIOS几乎都采用Flash ROM(快闪ROM)，它其实就是一种可快速读写的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)，顾名思义，它是一种在一定的电压、电流条件下，可对其Firmware进行更新的集成电路块。兼容机和国产品牌机BIOS大多采用AWARD或AMI公司的Firmware，国外的品牌电脑的BIOS则几乎全部采用Phoenix公司的Firmware。不管BIOS软件代码有何区别，它们的硬件部分（Flash ROM芯片）是大致相同的，BIOS芯片大多位于主板的ISA和PCI插槽交汇处的上方（也有部分主板将BIOS芯片安排在主板的左下方位置），芯片表面一般贴有BIOS Firmware提供商的激光防伪标贴。一般不是直接焊在主板上，而是插在一个专用的插槽上。 有很多芯片厂商都在生产Flash ROM芯片，我们在主板上常见的有Winbond、SST、Intel、MXIC、ATMEL等品牌的产品，这些厂商又提供了很多种型号的芯片，型号不同，芯片的存储容量和读写电压也不同。Flash ROM芯片大致分为28、29两大系列28系列的Flash ROM芯片是双电压设计的，它可以在5V的电压的条件下读取，而写入则必须提供12V的电压。采用这种芯片的主板在升级时，会给普通的电脑用户造成不小的麻烦---要开机箱、改跳线设置，太麻烦了。29系列的Flash ROM芯片则相对简单，由于其采用单电压设计，读写都采用5V电压，因此只动用软件就可以完成读写Firmware的操作。在主板说明书中，主板厂商还列出了Flash ROM芯片的容量，其中有1M和2M两种容量的型号。这里，“M”的单位是指“Mbit”，1M的Flash ROM芯片实际能存储的容量为1Mbit=8*128Kbyte(1Byte=8bit)，2M的芯片为256K。以上这些技术参数都可以通过芯片正面的编号来区分，这个编号是严格遵循集成电路编号规则来标注的，如：台湾Winbond(华邦)公司的Flash ROM芯片，芯片编号为“29C020”。前两位“29”表明这是一块5V电压读写的Flash ROM芯片，后面的“020”代表容量为2Mbit。如Intel生产的Flash ROM芯片，它的芯片编号为“28F010”，由此可知该芯片是5V读、12V写，容量为1Mbit的Flash ROM芯片。 Flash ROM芯片最诱人的特性，是它的Firmware更新操作可以只使用计算机软件来完成。这一特性和运用，使原本深藏在计算机内部不为人知的BIOS，一下子“暴露”在了我们面前，并为我们免费获得对新硬件的支持、修正BIOS代码错误成为可能。当然，正是由于这个提供给我们方便的特性，也为CIH病毒提供了便利，使其能对采用单电压读写的Flash ROM芯片进行恶意的破坏。但是不用担心，CIH病毒破坏的只是固化在芯片中的Firmware，它并不能对Flash ROM芯片本身造成物理损坏。 以上我们谈的都是系统主板的BIOS。现在，越来越多的电脑部伯开始采用Flash ROM 来固化硬件的底层控制代码，许多厂商也将这些控制代码和承载这些代码的芯片称之为BIOS。这些可以更新“BIOS“的硬件包括显示卡、MODEM、网卡、CDR驱动器、数字相机甚至一些硬盘等等。这些电脑板卡或周边调和设备使用的Flash ROM芯片，也与主板BIOS芯片大同小异。 BIOS的Firmware代码决定了系统对硬件支持、协调的能力。现在新硬件层出不穷，BIOS不可能预先具备对如此繁多的硬件的支持，这依赖于对BIOS Firmware的更新来完善。比如使B X 主板“认识”PIII、让i740显卡在非Intel芯片组的主板上正常工作等，都需要升级主板BIOS才能实现。另外，任何一种硬件都有可能因设计上的不足或BUG（错误），而和系统发生各种各样的冲突甚至使电脑不能稳定工作。这些问题也可以通过升级BIOS来解决，而且这时就有两个途径来解决问题，一是升级主板BIOS，一是升级具体硬件的BIOS（如果它的BIOS具有升级能力的话）。 BIOS的设定信息并未储存在BIOS芯片中，而是储存在主板的南桥芯片中或整合芯片组中或ICH中的一部分RAM内，该RAM只有256字节。 主板上的电池并不是为BIOS供电，而是给南桥芯片中或整合芯片组中或ICH中的RAM供电。（众所周知，只读存储器不需要供电，而BIOS芯片即Flash Rom、EPROM都是只读存储器）由于BIOS程序的开发厂商不只一家，所以BIOS出错报警鸣音的定义自然不同了，详情见PCD2001.12 P66。 BIOS芯片厂商和BIOS厂商是不一样的，一个是硬件生产者（有Intel、AMD、Winbond、SST、Atmel等）一个是软件开发者。虚拟内存不通过BIOS设置通过操作系统设置我的电脑-右键-属性-高级-性能-设置-高级--虚拟内存您好楼主，具体可以参考哦：http://memory.zol.com.cn/246/2460848_all.html一台计算机得以正常工作，主要是依靠CPU、主板、显卡、内存和硬盘相互协作，缺一不可，所以说无论哪一部分都是计算机的重要成员。其中内存是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。 对于内存超频而言，根据不同主板，可以采用不同的超频方案，同时内存超频又与CPU有着直接或间接的关系，一般来说，内存超频的实现方法有两种：一是内存同步，即调整CPU外频并使内存与之同频工作；二是内存异步，即内存工作频率高出CPU外频。这个设置不仅能调节内存频率，还可以对处理器进行调节。不过内存超频本来就是和CPU有着很大关系的。 然后从下图看出，分频器一共可以分为6-18共七个档，对应的内存频率为DDR3-800到DDR3-2400，具体算法就是上图CPU外频为133，通过内存分频后，将两者相乘就是最后的频率。
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